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MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR

僅供參考

型號 MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR
PNEDA編號 MT29F2G08ABAEAWP-E-E-TR
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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