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MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR

MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR

僅供參考

型號 MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR
PNEDA編號 MT29F2T08CWCBBJ7-6R-B-TR
描述 IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Tb (256G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱152-LBGA
供應商設備包裝152-LBGA (14x18)

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

15MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

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工作溫度

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