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MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR

MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR

僅供參考

型號 MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR
PNEDA編號 MT29F32G08CBCDBJ4-10-D-TR
描述 IC FLASH 32G PARALLEL 100MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小32Gb (4G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱132-VBGA
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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