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MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR

MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR

僅供參考

型號 MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR
PNEDA編號 MT29F4G08ABAFAH4-IT-F-TR
描述 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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STMicroelectronics

系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

48Gb (768M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

2133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

556-VFBGA

供應商設備包裝

556-VFBGA (12.4x12.4)

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

Fujitsu Electronics

制造商

Fujitsu Electronics America, Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FRAM

技術

FRAM (Ferroelectric RAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

W25Q80EWZPIG

Winbond Electronics

制造商

Winbond Electronics

系列

SpiFlash®

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WSON (6x5)

7005L25J

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

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