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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

僅供參考

型號 MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
PNEDA編號 MT29F4G16ABAFAH4-AATES-F-TR
描述 IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

SOT-23-5

STK14D88-NF45ITR

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 16)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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