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MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B

MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B

僅供參考

型號 MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
PNEDA編號 MT29F512G08CMCBBH7-6ITR-B
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
類別半導體內存IC內存

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MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱152-TBGA
供應商設備包裝152-TBGA (14x18)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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