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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

僅供參考

型號 MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
PNEDA編號 MT29F64G08AECDBJ4-6ITR-D-TR
描述 IC FLASH 64G PARALLEL 166MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小64Gb (8G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱132-VBGA
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

LHF00L13

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制造商

Sharp Microelectronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

32-VSOP

CY7C0241-25AXC

Cypress Semiconductor

制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

25ns

電壓-供電

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工作溫度

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