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MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR

MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR

僅供參考

型號 MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR
PNEDA編號 MT29F8G08ADADAH4-IT-D-TR
描述 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

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內存格式

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

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系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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32-SOIC

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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