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MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G

MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G

僅供參考

型號 MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G
PNEDA編號 MT29RZ1C1CZZHGTN-18I-85G
描述 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G
類別半導體內存IC內存

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MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
內存大小1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.8V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱121-WFBGA
供應商設備包裝121-WFBGA (7.5x8)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

CBRAM®

技術

CBRAM

內存大小

64kb (32B Page Size)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

100µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

70V631S15PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

128-LQFP

供應商設備包裝

128-TQFP (14x20)

CY62256L-70SNXIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

IDT6116LA25SO

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

24-SOIC

71T75902S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

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