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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

僅供參考

型號 MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
PNEDA編號 MT29RZ4B2DZZHGSK-18-W-80E
描述 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
類別半導體內存IC內存

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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
內存大小4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.8V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱162-VFBGA
供應商設備包裝162-VFBGA (11.5x13)

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內存接口

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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寫周期-字,頁

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

120µs

訪問時間

70ns

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