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MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

僅供參考

型號 MT3S111(TE85L,F)
PNEDA編號 MT3S111-TE85L-F
描述 RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 51,288
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S111(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S111(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S111(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡11.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
增益12dB
功率-最大700mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 30mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝S-Mini

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

67 @ 1mA, 10V

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30mA

工作溫度

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

10dB

功率-最大

125W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

工作溫度

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