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MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

僅供參考

型號 MT3S111P(TE12L,F)
PNEDA編號 MT3S111P-TE12L-F
描述 RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 49,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S111P(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S111P(TE12L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S111P(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.25dB @ 1GHz
增益10.5dB
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 30mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PW-MINI

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.3V

頻率-過渡

21GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

12.5dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-523

供應商設備包裝

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

1.2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 50mA, 15V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-39

AT-32032-TR1G

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

增益

13.5dB ~ 15dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SC-70-3

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制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

1.03GHz ~ 1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.5dB

功率-最大

1450W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

18dB ~ 22dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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