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MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

僅供參考

型號 MT3S20P(TE12L,F)
PNEDA編號 MT3S20P-TE12L-F
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S20P(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S20P(TE12L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S20P(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.45dB @ 1GHz
增益16.5dB
功率-最大1.8W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PW-MINI

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB

功率-最大

200W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 9dB

功率-最大

5.3W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3mA

工作溫度

200°C (TJ)

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Microsemi

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

7.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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NXP USA Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

20dB

功率-最大

135mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

7dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 50mA, 10V

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