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MT40A1G8WE-075E:D

MT40A1G8WE-075E:D

僅供參考

型號 MT40A1G8WE-075E:D
PNEDA編號 MT40A1G8WE-075E-D
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A1G8WE-075E:D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A1G8WE-075E:D
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT40A1G8WE-075E:D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.33GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x12)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

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訪問時間

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電壓-供電

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包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH

內存大小

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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