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MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

僅供參考

型號 MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
PNEDA編號 MT40A1G8WE-083E-AUT-B-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR, MT40A1G8WE-083E AUT:B TR數據表 (總頁數: 391, 大小: 11,348.46 KB)
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MT40A1G8WE-083E AUT:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.2GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x12)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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-

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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