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MT40A512M16TB-062E:J TR

MT40A512M16TB-062E:J TR

僅供參考

型號 MT40A512M16TB-062E:J TR
PNEDA編號 MT40A512M16TB-062E-J-TR
描述 IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A512M16TB-062E:J TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A512M16TB-062E:J TR
類別半導體內存IC內存

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MT40A512M16TB-062E:J TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小8Gb (512M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.6GHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間19ns
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (7.5x13.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.6ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存大小

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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寫周期-字,頁

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包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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