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MT40A512M8RH-075E AUT:B

MT40A512M8RH-075E AUT:B

僅供參考

型號 MT40A512M8RH-075E AUT:B
PNEDA編號 MT40A512M8RH-075E-AUT-B
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A512M8RH-075E AUT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A512M8RH-075E AUT:B
類別半導體內存IC內存

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MT40A512M8RH-075E AUT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.33GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

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EEPROM

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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