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MT40A512M8RH-083E AAT:B

MT40A512M8RH-083E AAT:B

僅供參考

型號 MT40A512M8RH-083E AAT:B
PNEDA編號 MT40A512M8RH-083E-AAT-B
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A512M8RH-083E AAT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A512M8RH-083E AAT:B
類別半導體內存IC內存

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MT40A512M8RH-083E AAT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.2GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

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SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

300µs, 5ms

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