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MT40A512M8RH-083E AAT:B TR

MT40A512M8RH-083E AAT:B TR

僅供參考

型號 MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
PNEDA編號 MT40A512M8RH-083E-AAT-B-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A512M8RH-083E AAT:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT40A512M8RH-083E AAT:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.2GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

12ns

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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MT40A512M16JY-075E:B TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

120ns

電壓-供電

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工作溫度

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