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MT40A512M8RH-083E IT:B TR

MT40A512M8RH-083E IT:B TR

僅供參考

型號 MT40A512M8RH-083E IT:B TR
PNEDA編號 MT40A512M8RH-083E-IT-B-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A512M8RH-083E IT:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A512M8RH-083E IT:B TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT40A512M8RH-083E IT:B TR, MT40A512M8RH-083E IT:B TR數據表 (總頁數: 383, 大小: 11,237.05 KB)
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MT40A512M8RH-083E IT:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.2GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

100µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

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