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MT41J128M8JP-15E:G

MT41J128M8JP-15E:G

僅供參考

型號 MT41J128M8JP-15E:G
PNEDA編號 MT41J128M8JP-15E-G
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 10,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41J128M8JP-15E:G資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41J128M8JP-15E:G
類別半導體內存IC內存

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MT41J128M8JP-15E:G規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率667MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x11.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

19ns

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (7.5x11)

70V25S25PFGI8

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

-

內存格式

-

技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

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-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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ON Semiconductor

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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