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MT41J256M16HA-093 J:E

MT41J256M16HA-093 J:E

僅供參考

型號 MT41J256M16HA-093 J:E
PNEDA編號 MT41J256M16HA-093-J-E
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41J256M16HA-093 J:E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41J256M16HA-093 J:E
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT41J256M16HA-093 J:E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率1066MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x14)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

60-TWBGA (8x10)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

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