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MT41J256M8DA-107:K TR

MT41J256M8DA-107:K TR

僅供參考

型號 MT41J256M8DA-107:K TR
PNEDA編號 MT41J256M8DA-107-K-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41J256M8DA-107:K TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41J256M8DA-107:K TR
類別半導體內存IC內存

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MT41J256M8DA-107:K TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Fremont Micro Devices Ltd

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

800kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

700ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (512K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

56MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

54ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.75V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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