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MT41J64M16JT-15E AAT:G TR

MT41J64M16JT-15E AAT:G TR

僅供參考

型號 MT41J64M16JT-15E AAT:G TR
PNEDA編號 MT41J64M16JT-15E-AAT-G-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41J64M16JT-15E AAT:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41J64M16JT-15E AAT:G TR
類別半導體內存IC內存

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MT41J64M16JT-15E AAT:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率667MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x14)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-UDFN (5x6)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

52-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP I

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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