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MT41K128M16JT-125 V:K

MT41K128M16JT-125 V:K

僅供參考

型號 MT41K128M16JT-125 V:K
PNEDA編號 MT41K128M16JT-125-V-K
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K128M16JT-125 V:K資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K128M16JT-125 V:K
類別半導體內存IC內存

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MT41K128M16JT-125 V:K規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.75ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x14)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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