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MT41K128M8JP-125:G TR

MT41K128M8JP-125:G TR

僅供參考

型號 MT41K128M8JP-125:G TR
PNEDA編號 MT41K128M8JP-125-G-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K128M8JP-125:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K128M8JP-125:G TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT41K128M8JP-125:G TR, MT41K128M8JP-125:G TR數據表 (總頁數: 215, 大小: 16,514.28 KB)
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MT41K128M8JP-125:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.75ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x11.5)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (7.5x13.5)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

600ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

S29GL032N90FFIS10

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

CY7C1314TV18-167BZC

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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