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MT41K1G4RH-107:E TR

MT41K1G4RH-107:E TR

僅供參考

型號 MT41K1G4RH-107:E TR
PNEDA編號 MT41K1G4RH-107-E-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十月 1 - 十月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K1G4RH-107:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K1G4RH-107:E TR
類別半導體內存IC內存

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MT41K1G4RH-107:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (1G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64M (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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48-FBGA (8.15x6.15)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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