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MT41K1G4RH-125:E TR

MT41K1G4RH-125:E TR

僅供參考

型號 MT41K1G4RH-125:E TR
PNEDA編號 MT41K1G4RH-125-E-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K1G4RH-125:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K1G4RH-125:E TR
類別半導體內存IC內存

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MT41K1G4RH-125:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (1G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.75ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP Module (0.61", 15.49mm)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-TSOP

MT29F8G08ABABAWP-ITX:B TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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