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MT41K256M16TW-093 IT:P TR

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

僅供參考

型號 MT41K256M16TW-093 IT:P TR
PNEDA編號 MT41K256M16TW-093-IT-P-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K256M16TW-093 IT:P TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K256M16TW-093 IT:P TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT41K256M16TW-093 IT:P TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率1067MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x14)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

633MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

1Gb (32M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

134-TFBGA (10x11.5)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

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