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MT41K2G4TRF-125:E

MT41K2G4TRF-125:E

僅供參考

型號 MT41K2G4TRF-125:E
PNEDA編號 MT41K2G4TRF-125-E
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 22 - 三月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K2G4TRF-125:E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K2G4TRF-125:E
類別半導體內存IC內存
數據表
MT41K2G4TRF-125:E, MT41K2G4TRF-125:E數據表 (總頁數: 15, 大小: 320.5 KB)
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MT41K2G4TRF-125:E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小8Gb (2G x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.5ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9.5x11.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150µs

訪問時間

110ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

M25P16-VMN3TP/4 TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

JS48F4400P0VB00A

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

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