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MT41K512M8DA-107:P

MT41K512M8DA-107:P

僅供參考

型號 MT41K512M8DA-107:P
PNEDA編號 MT41K512M8DA-107-P
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,905
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K512M8DA-107:P資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K512M8DA-107:P
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT41K512M8DA-107:P規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

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時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

SST39WF1601-70-4C-MAQE

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-WFBGA

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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