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MT41K512M8DA-125:P

MT41K512M8DA-125:P

僅供參考

型號 MT41K512M8DA-125:P
PNEDA編號 MT41K512M8DA-125-P
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 6 - 二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K512M8DA-125:P資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K512M8DA-125:P
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT41K512M8DA-125:P規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.5ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

54ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.75V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

80-LBGA

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

DRAM

內存大小

576Mb (16M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.066GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

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