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MT41K512M8RG-107:N TR

MT41K512M8RG-107:N TR

僅供參考

型號 MT41K512M8RG-107:N TR
PNEDA編號 MT41K512M8RG-107-N-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 22 - 三月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K512M8RG-107:N TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K512M8RG-107:N TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT41K512M8RG-107:N TR, MT41K512M8RG-107:N TR數據表 (總頁數: 218, 大小: 3,110.25 KB)
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MT41K512M8RG-107:N TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (7.5x10.6)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

153-TFBGA (11.5x13)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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