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MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

僅供參考

型號 MT41K512M8V00HWC1-N001
PNEDA編號 MT41K512M8V00HWC1-N001
描述 IC DRAM 4G PARALLEL
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K512M8V00HWC1-N001資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K512M8V00HWC1-N001
類別半導體內存IC內存

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MT41K512M8V00HWC1-N001規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

30MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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