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MT41K64M16TW-107 AIT:J

MT41K64M16TW-107 AIT:J

僅供參考

型號 MT41K64M16TW-107 AIT:J
PNEDA編號 MT41K64M16TW-107-AIT-J
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K64M16TW-107 AIT:J資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K64M16TW-107 AIT:J
類別半導體內存IC內存

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MT41K64M16TW-107 AIT:J規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x14)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

6.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-VFBGA

供應商設備包裝

60-VFBGA (8x10)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-TFBGA

供應商設備包裝

134-TFBGA (10x11.5)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

48-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

48-PDIP

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制造商

Renesas Electronics America

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存格式

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技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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