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MT45W2MW16BABB-706 WT TR

MT45W2MW16BABB-706 WT TR

僅供參考

型號 MT45W2MW16BABB-706 WT TR
PNEDA編號 MT45W2MW16BABB-706-WT-TR
描述 IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT45W2MW16BABB-706 WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT45W2MW16BABB-706 WT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT45W2MW16BABB-706 WT TR, MT45W2MW16BABB-706 WT TR數據表 (總頁數: 60, 大小: 997.29 KB)
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MT45W2MW16BABB-706 WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小32Mb (2M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (6x9)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (128K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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