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MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

僅供參考

型號 MT45W4MW16BBB-706 L WT TR
PNEDA編號 MT45W4MW16BBB-706-L-WT-TR
描述 IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT45W4MW16BBB-706 L WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT45W4MW16BBB-706 L WT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT45W4MW16BBB-706 L WT TR, MT45W4MW16BBB-706 L WT TR數據表 (總頁數: 61, 大小: 969.65 KB)
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MT45W4MW16BBB-706 L WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (6x9)

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

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2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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