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MT46H32M32LFB5-6 AT:B

MT46H32M32LFB5-6 AT:B

僅供參考

型號 MT46H32M32LFB5-6 AT:B
PNEDA編號 MT46H32M32LFB5-6-AT-B
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46H32M32LFB5-6 AT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46H32M32LFB5-6 AT:B
類別半導體內存IC內存

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MT46H32M32LFB5-6 AT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小1Gb (32M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.0ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-VFBGA
供應商設備包裝90-VFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

2133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

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技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

90-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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