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MT46V16M16CY-5B XIT:M TR

MT46V16M16CY-5B XIT:M TR

僅供參考

型號 MT46V16M16CY-5B XIT:M TR
PNEDA編號 MT46V16M16CY-5B-XIT-M-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V16M16CY-5B XIT:M TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V16M16CY-5B XIT:M TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR, MT46V16M16CY-5B XIT:M TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 136.84 KB)
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MT46V16M16CY-5B XIT:M TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x12.5)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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Cypress Semiconductor

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系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Winbond Electronics

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.067GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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寫周期-字,頁

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1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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