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MT46V256M4TG-75:A TR

MT46V256M4TG-75:A TR

僅供參考

型號 MT46V256M4TG-75:A TR
PNEDA編號 MT46V256M4TG-75-A-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V256M4TG-75:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V256M4TG-75:A TR
類別半導體內存IC內存

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MT46V256M4TG-75:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小1Gb (256M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間750ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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