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MT46V32M16BN-75:C

MT46V32M16BN-75:C

僅供參考

型號 MT46V32M16BN-75:C
PNEDA編號 MT46V32M16BN-75-C
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V32M16BN-75:C資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V32M16BN-75:C
類別半導體內存IC內存

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MT46V32M16BN-75:C規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間750ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (10x12.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

85ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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