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MT46V32M8BG-6:GTR

MT46V32M8BG-6:GTR

僅供參考

型號 MT46V32M8BG-6:GTR
PNEDA編號 MT46V32M8BG-6-GTR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V32M8BG-6:GTR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V32M8BG-6:GTR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V32M8BG-6:GTR, MT46V32M8BG-6:GTR數據表 (總頁數: 93, 大小: 3,632.33 KB)
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MT46V32M8BG-6:GTR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x14)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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