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MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

僅供參考

型號 MT47H128M4CB-5E:B
PNEDA編號 MT47H128M4CB-5E-B
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M4CB-5E:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M4CB-5E:B
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT47H128M4CB-5E:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (128M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間600ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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