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MT47H128M4CF-25E:G TR

MT47H128M4CF-25E:G TR

僅供參考

型號 MT47H128M4CF-25E:G TR
PNEDA編號 MT47H128M4CF-25E-G-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 28 - 五月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M4CF-25E:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M4CF-25E:G TR
類別半導體內存IC內存

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MT47H128M4CF-25E:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (128M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x10)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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FLASH

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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