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MT47H128M8SH-25E AAT:M TR

MT47H128M8SH-25E AAT:M TR

僅供參考

型號 MT47H128M8SH-25E AAT:M TR
PNEDA編號 MT47H128M8SH-25E-AAT-M-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M8SH-25E AAT:M TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M8SH-25E AAT:M TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR, MT47H128M8SH-25E AAT:M TR數據表 (總頁數: 133, 大小: 9,413.9 KB)
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MT47H128M8SH-25E AAT:M TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (10x18)

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Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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