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MT47H256M4CF-3:H TR

MT47H256M4CF-3:H TR

僅供參考

型號 MT47H256M4CF-3:H TR
PNEDA編號 MT47H256M4CF-3-H-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H256M4CF-3:H TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H256M4CF-3:H TR
類別半導體內存IC內存

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MT47H256M4CF-3:H TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (256M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x10)

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內存接口

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時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

0404 (1010 Metric), Concave

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (256 x 4)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2µs

電壓-供電

2.85V ~ 5.25V

工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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訪問時間

45ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

55ns

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

80ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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