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MT47H256M4SH-25E:M

MT47H256M4SH-25E:M

僅供參考

型號 MT47H256M4SH-25E:M
PNEDA編號 MT47H256M4SH-25E-M
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H256M4SH-25E:M資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H256M4SH-25E:M
類別半導體內存IC內存

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MT47H256M4SH-25E:M規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (256M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x10)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

40-DIP (0.600", 15.24mm)

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