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MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

僅供參考

型號 MT47H256M8EB-3:C
PNEDA編號 MT47H256M8EB-3-C
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 1,427
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H256M8EB-3:C資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H256M8EB-3:C
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H256M8EB-3:C, MT47H256M8EB-3:C數據表 (總頁數: 135, 大小: 2,155.49 KB)
PDFMT47H256M8EB-3:C數據表 封面
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MT47H256M8EB-3:C規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (9x11.5)

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

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內存格式

EEPROM

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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