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MT47H256M8THN-25E IT:H

MT47H256M8THN-25E IT:H

僅供參考

型號 MT47H256M8THN-25E IT:H
PNEDA編號 MT47H256M8THN-25E-IT-H
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H256M8THN-25E IT:H資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H256M8THN-25E IT:H
類別半導體內存IC內存

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MT47H256M8THN-25E IT:H規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-TFBGA
供應商設備包裝63-FBGA (8x10)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

366MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

MT48LC2M32B2P-5:J TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

4.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

NoBL™

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

72Mb (1M x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

209-BGA

供應商設備包裝

209-FBGA (14x22)

S29GL256P90FFSS00

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

GL-P

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

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