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MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

僅供參考

型號 MT47H32M8BP-37E:B TR
PNEDA編號 MT47H32M8BP-37E-B-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 24 - 九月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H32M8BP-37E:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H32M8BP-37E:B TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H32M8BP-37E:B TR, MT47H32M8BP-37E:B TR數據表 (總頁數: 133, 大小: 9,390.91 KB)
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MT47H32M8BP-37E:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率267MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間500ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x12)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

60-VFBGA (8x9)

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 1.75ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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內存格式

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內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

84-PLCC (29.21x29.21)

7024S35PFI

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

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寫周期-字,頁

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訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

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